SK海力士4D 96層 NAND宣佈量產,後期產能或將持續擴大

time2018-11-05 15:37:58

 

SK海力士推出基於TLC陣列的全球首款96512Gb CTF 4D 快閃記憶體晶片,採用3D CTF (Charge Trap Flash)設計,搭配PUCPeri.Under Cell)技術。SK海力士將在今年內開始初步量產964D 快閃記憶體。單個512Gb 快閃記憶體晶片相當於64GB存儲。

SK海力士首次將3D CTFPUC技術結合在一起,這種技術與將3D浮柵和PUC集成的方式有所不同。採用這種技術可獲得業界最好的性能和產能。SK海力士將該產品命名為“基於CTF4D 快閃記憶體晶片”,以區別於當前的3D 快閃記憶體技術。

SK海力士72512Gb 3D 快閃記憶體相比,4D 快閃記憶體晶片尺寸減少了超過30%,每片waferbit生產率提高了49%。寫入速度提高30%,讀取性能提高25%。此外,資料頻寬增加一倍,可達業界最大的64KB。隨著多柵極絕緣體結構的引入,在1.2V工作電壓下,其資料I / O速度可達1,200Mbps

今年8月,SK海力士已經宣佈將通過各種4D 快閃記憶體應用來提高解決方案的市場競爭力。

最重要的是,憑藉96512Gb 4D 快閃記憶體,SK海力士將在今年推出搭配自家控制器和固件的1TB消費級SSD。企業級固態硬碟將於2019年下半年推出。SK海力士還將在2019年上半年推出UFS 3.0,以回應高密度移動設備市場。此外,SK海力士還將於2019年推出超高密度961Tb TLCQLC

SK海力士快閃記憶體行銷主管J.T. Kim 表示:“最新推出的基於96CTF4D 快閃記憶體具有業界最高的成本競爭力和性能,將成為公司快閃記憶體晶片業務的里程碑,我們計畫在今年內開始大規模量產,並進一步擴大M15工廠產能,以積極回應客戶和市場的需求。”