鎂光宣佈開始大規模生產12Gb LPDDR4x2018-11-08
鎂光宣佈,開始大規模生產12Gb LPDDR4x,用於移動設備應用。鎂光LPDDR4記憶體保持最快的時鐘頻率,在功耗上帶來了明顯的改進,從而為下一代移動手機和平板電腦提供了更優秀的性能

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SK海力士4D 96層 NAND宣佈量產,後期產能或將持續擴大2018-11-05
SK海力士推出基於TLC陣列的全球首款96層512Gb CTF 4D 快閃記憶體晶片,採用3D CTF (Charge Trap Flash)設計,搭配PUC(Peri.Under Cell)技術。SK海力士將在今年內開始初步量產96

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鎂光斥資15億美元收購英特爾持有的IM Flash工廠的股份2018-10-19
光科技週四宣佈,將收購英特爾持有的IM Flash Technologies股份。鎂光同意斥資15億美元收購英特爾持有的IM Flash Technologies股份,並預計將在明年1月1日行使購買選擇權後6至

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三星大規模生產QLC SSD,最高容量4TB,TB SSD的時代2018-08-07
三星今天宣佈開始大規模生產基於QLC(4-bit)SATA SSD,該新SATA SSD基於64層1Tb QLC V-NAND,搭載了32顆晶片,最高容量高達4TB,具有TLC SATA SSD一樣的性能水準,提供540MB/s的讀取速

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三星推出NF1規格NVMe SSD:容量8TB2018-06-21
三星宣佈推出業界最高容量NVMe SSD: 採用NGSF(NF1)規格形態,容量可達8TB,主要用於下一代資料中心和企業伺服器系統中的資料密集型分析和虛擬化應用。三星NF1 NVMe SSD 8TB版本

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英特爾已能夠生產用於量子計算晶片的全矽晶圓2018-06-12
去年,英特爾向量子計算的商業化邁出了一小步,拿出了17個量子位元超導晶片,隨後CEO Brian Krzanich在CES 2018上展示了一個具有49個量子位元的測試晶片。與此前在英特爾的量產

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鎂光推出新型工業級microSD卡:最大容量256GB2018-04-11
2018年4月10日鎂光宣佈推出面向視頻監控領域推出全系列邊緣存儲解決方案。新品採用鎂光64層3D TLC,在更小空間實現更大容量,可供攝像機存儲長達30天的監控錄影。(邊緣存儲技術

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SK海力士動作頻頻,研發96層3D NAND、擴增NAND產線等2017-12-21
據ET News與Newspim報導,SK海力士於20日理事會上決議於大陸設立晶圓代工廠事宜,子公司SK海力士系統IC(SK Hynix System IC)將與大陸廠商各出資一半,投資金額上看數千億韓元,進

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三星宣佈量產第二代10nm級8Gb DDR4 DRAM2017-12-20
12月20日,三星宣佈已開始量產第二代10nm級8Gb DDR4 DRAM,並持續擴大整體10nm級DRAM的生產,有助於滿足全球不斷飆升的DRAM晶片需求,繼續加強三星市場競爭力。 三星第二代10nm級

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SK海力士砸1.8億美元 韓國打造新研發中心2017-09-29
SK海力士(SK Hynix)決定在利川園區興建半導體研發中心,並將分散在各處的研發人員集結于此,形成未來的研發樞紐。SK集團(SK Group)會長崔泰源在董事會通過東芝記憶體公司(Tosh

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